（报告出品方/作者：中信建投证券，刘双锋、孙芳芳）

四、全球碳化硅市场竞争格局

4.1碳化硅成本以衬底为主，美、日、欧企业占据主导地位

碳化硅器件成本以衬底制造为主，全球市场国外企业具备领先地位。碳化硅市场产业链主要分为晶圆衬底制造、外延片生产、碳化硅器件研发和装备封装测试四个部分，其中碳化硅衬底是产业链的核心区域，占据市场总成本的50%左右。此外，碳化硅外延片和器件制造分别占据产业成本的25%和20%，同样是市场成本的主要贡献者。封测分为封装和测试两个部分，是芯片和器件完成制造后进行性能试验的重要环节，由于程序和设备依赖程度相对较低，整体占比仅为总成本的5%。实际上，由于具备晶体生长过程繁琐，晶圆切割困难等特点，碳化硅衬底的制造成本一直处于高位。其次，碳化硅外延的质量对器件性能影响较大，同时外延自身也受到衬底质量的影响，其材料具有高品质的需求，因而在产业链中具备较高的成本。

外国企业占据市场主导地位，行业集中度高。全球碳化硅衬底市场目前仍以国外企业为主，年上半年科锐(WolfSpeed)、罗姆(ROHM)、II-VI、昭和电工、天科合达五家企业合计市场占比分别达到91%，市场高度集中。其中，WolfSpeed独占45%的市场份额，是全球的龙头企业，且国外企业合计占比超过85%，占据市场主导地位。目前，碳化硅市场以IDM为主要运作模式，WolfSpeed、ROHM和STM都是领先的IDM企业，后两者均通过收购的方式成功进入碳化硅衬底和外延市场，II-VI则是传统的衬底和外延片生产商。国内企业中，山东天岳和天科合达都致力于衬底领域，瀚天天成、东莞天域则主要覆盖外延片，华润微、基本半导体等企业则集中进行期间生产。

目前国内暂未出现碳化硅的IDM企业，且整体份额占比较小，但受益于政策利好等因素，国产替代进程仍在不断加快。年伴随着电动汽车、5G基站、物联网等领域的快速发展，碳化硅市场也迎来了高度景气。然而，年全球碳化硅市场规模约为5.4亿美元，预计年将突破25亿美元，相较于传统硅半导体市场来说规模仍然较小。尽管行业目前集中度高，但领先企业仍将面临来自其他公司的激烈威胁，其业绩在中长期内将有波动风险。国内企业仍可抓住快速发展期，实现衬底和外延等技术更迭。

4.2细分领域龙头效应明显，国产替代成效显著

4.2.1碳化硅衬底技术产生更迭，国内企业逐步推进国产替代

国外龙头已突破8英寸节点，国内企业竞争劣势明显。年，碳化硅衬底的技术节点主要分布在4-6英寸，而国际主流企业WolfSpeed、II-VI和STM已经实现了8英寸衬底样品的研发，技术水平位居全球首位。目前，国内外主流企业均已实现4-6英寸晶圆的规模化生产，但国内的8英寸晶圆仍处于研发阶段。尽管国内企业在4-6英寸衬底的技术实力可以与国际先进水平相媲美，但仍然存在较多的不利竞争因素。首先，碳化硅半导体属于资金、人才和技术密集型行业，由于国内SiC产业起步较晚，整体来说仍然受到发展限制。其次，碳化硅企业需要大量的资本支出和技术投入，国内企业的融资渠道较为单一，这较大地限制了公司的发展空间和竞争力。国内外公司还在产能供给方面存在较大差异，国际一流厂商均已建立十分完善的2-6英寸碳化硅衬底工厂，国内企业受到自身瓶颈限制，产能供应仍处于相对劣势地位。

国产替代进程加快，半绝缘型衬底进步显著。目前，国内企业在2-6英寸的半绝缘型和导电型碳化硅衬底领域均已实现部分国产替代，8英寸晶圆也在研制过程中。年，山东天岳在半绝缘型的碳化硅衬底市场中已占据30%的市场份额，与国际龙头WolfSpeed和II-VI相比差距很小。实际上，该数值在年仅为18%，山东天岳在一年内将市占率提高了12个百分点，进入行业第一梯队。而在导电型碳化硅衬底市场，年WolfSpeed以62%的市占率位居全球首位，其次为II-VI和ROHM，三者合计占比达90%。天科合达和山东天岳的全球市占率合计不足5%，但随着公司技术水平不断提升以及产能释放，预计两者在导电型衬底领域的市占率将会进一步提升。尽管国外企业在两类衬底市场均占据领先地位，但山东天岳已经快速实现半绝缘型碳化硅衬底的进口替代，同时天科合达也在积极推进导电型衬底的技术研发，国产替代进程将持续突破。

4.2.2碳化硅外延市场逐步实现国产替代，国内企业产能逐步提高

国外企业技术领先，国产供给仍在提高。目前，碳化硅衬底具有两类外延片：1）半绝缘型：该类衬底通常与GaN外延结合形成异质晶圆，并主要用于生产微波射频器件；2）导电型：该类型衬底与SiC外延结合产生同质晶圆，主要用于新能源汽车等领域的功率器件生产。WolfSpeed、ROHM、II-VI和STM均覆盖了SiC外延的生产业务，基本可以实现在6英寸衬底上进行外延生产，并且可以实现微米及以上的厚层生长。此外，国外企业在小于12微米和大于30微米的外延片均具有良好的成品率和质量控制，国内企业则存在质量不稳和缺陷密度高的问题。瀚天天成和东莞天域均已完成了3-6英寸碳化硅外延的研发和生产，并为全球提供N型和P-型外延掺杂材料。此外，中电科十三所、五十五所等也拥有碳化硅衬底的供应部门。

国内企业瀚天天成已实现3-6英寸的外延供给，同时还可生产用于-V的碳化硅功率器件的外延片。目前，公司一期产能约为6万片每年，在纯碳化硅外延生产商中其产能位居全球前列。同时，公司将建设10条6英寸的碳化硅外延生产线，预期产能将提高至40万片每年，以满足日益增长的订单需求。东莞天域目前也是全球碳化硅外延片的主要生产商之一，早期已经实现3和4英寸的外延片产业化供给，目前也可提供6英寸外延片和相关碳化硅功率器件产品。此外，中电科也从事4-6英寸的碳化硅外延生产，同时还提供N-型4HSiC衬底和高纯4H-SiC衬底材料。目前，国内外在碳化硅外延层面的技术差别相对较小，均可满足3-6英寸的各类外延片生产，国内企业的供给量也在逐年提升，逐步成为全球主要的供应商。

4.2.3碳化硅器件市场发展迅速，国内企业积极布局

国外企业器件技术发展较快，新能源汽车为主要应用领域。年全球碳化硅器件市场主要由国外企业领导，WolfSpeed、ROHM、Infineon、STM市占率分别为26%、21%、16%和7%，合计占比为70%，市场集中度较高。目前，国外企业基本实现了MOSFET的完备研发和大批量销售，碳化硅二极管和功率模块等产品也早已实现大批量出货。然而，国内企业基本聚焦于二极管产品的生产，MOSFET仍处在积累阶段。实际上，国内企业泰科天润目前以碳化硅肖特二极管为核心产品，可以提供-V的功率器件，主要用于新能源汽车、轨道交通等领域。基本半导体集中研发SiC功率器件，主要产品包括二极管和MOSFET模块等，广泛用于能源发电、新能源汽车等领域。华润微已实现第四代V的SiCJBS产品研发，综合技术质量已达世界先进水平，同时其V的SiCMOSFET也已完成样品制造，预计将在未来两年内进行规模生产。

斯达半导体新增多个使用全SiCMOSFET模块的V系统的主电机控制器项目定点，将对公司年-年SiC模块销售增长提供持续推动力。士兰微同时也加快SiCMOSFET功率器件的研发，推出自产芯片的车用SiC功率模块。目前，全球碳化硅功率器件主要应用于新能源汽车、电源、光伏等领域，三者占比分别为30%、22%和15%。世界龙头企业已与特斯拉等著名电动车企形成合作，致力于碳化硅功率器件和模组的供应。同时，我国基本半导体也与特斯拉形成合作，进行碳化硅MOSFET模块的研发。尽管我国在技术层面和器件出货进度方面与国际领先企业仍有一定差距，但预计随着未来产能释放和技术进步，国内外企业将逐步缩小差距。

五、SiC产业链代表公司

5.1、国外主要厂商

5.1.1WolfSpeed

科锐（WolfSpeed）成立于年，是一家开发制造半导体材料和设备的美国公司，也是全球碳化硅基半导体材料及器件龙头。该公司主要基于碳化硅、氮化镓和相关化合物生产半导体材料以及发光二极管、照明、电源盒射频等半导体产品。WolfSpeed最初拥有四大业务部门：WolfSpeed、LED、照明业务和电源及射频业务。由于LED和照明业务部门利润下降，而专注于制造碳化硅材料的WolfSpeed的增长速度超越其他业务，因此公司先后出售了其他三大业务部门，现已完全转型为以SiC和GaN为主的半导体企业。WolfSpeed部门目前主要生产SiC和GaN衬底及外延，并且将半导体材料广发应用于电源、射频、功率器件等领域的生产。年上半年WolfSpeed在碳化硅衬底市场的占有率为45%，在碳化硅器件市场占有率为26%，均位居首位。

业务结构重大调整，公司业绩触底。财年公司实现营业收入5.26亿美元，同比下降41.85%，系公司出售其LED业务引起的大幅收窄。至年，随着照明市场竞争日趋激烈，科锐照明业务的毛利率低于公司总体毛利率，且呈现逐年下降的趋势。由于照明业务业绩表现不佳，公司于年将该业务出售，同年年营收同比下降27.70%，该消极影响一直持续至财年。与此同时，公司于年同样因毛利原因将其LED业务出售，公司完全转型为半导体材料和器件供应商。受益于其他业务的出售，科锐将有充足的资金持续投资研发半导体，并广泛利用汽车、5G和工业领域等终端市场增强业绩。预计随着SiC和GaN市场的持续景气，科锐有望以市占率第一的地位实现业绩的触底反弹，并且在中长期内维持快速增长。此外，年起公司净利润由正转负，财年报净利润为-5.24亿美元，系主营业务毛利率表现不佳和后期相关业务出售所致。预计随着高毛利的半导体业务持续增长和费用管控，公司的净利润有望在未来几年内扭转为正。

欧美成为公司销售重心，业务结构单一带来风险波动。自年以来，科锐在中国大陆的销售占比持续收窄，该情况于财年的业务结构更改后有所缓解，但因公司出售其LED业务而于年达到历史低点。年欧洲、美国和中国大陆销售额分别为1.89、1.17和1.00亿美元，三者合计占比超过75%。目前，公司的销售重心位于欧美，这与其更为成熟的SiC市场相关。然而，中国已成为全球最大的半导体市场，且在政策扶持和终端市场的快速增长下，其SiC和GaN方面将迎来爆发期。预计公司的销售情况会向中国大陆有所偏移，业绩表现也将因此而持续改善。

半导体研发成效显著，公司应推进费用管控。年WolfSpeed的研发支出为1.78亿美元，同比下降3.47%，占营收比例为34%。整体来看，公司的研发支出一直保持稳定，在剥离业务期间研发费用的波动较小，且公司在财年大幅增加了该项支出。目前，公司已经研制出了-mm的SiC衬底和相应的碳化硅和氮化物外延技术，并完成了首批mm碳化硅晶圆的样品制备。其研发费用大量投资于mm的SiC材料制造，同时用于扩充产能，其他部分则广泛用于提高衬底和外延质量、高性能的功率和射频器件开发。年8月公司与意法半导体签订了扩大现有mm碳化硅晶圆的供应协议，WolfSpeed、将在未来几年向意法提供mm的SiC衬底和外延片。此举将为WolfSpeed带来稳定的收入来源，并有助于公司度过目前的虚弱阶段。年公司的毛利率为34.25%，同比上升近8个百分点，出售业务带来的毛利提升成效显著。同时，净利率-99.68%，为近十年来历史低点，系研发和销售费用大幅上升所致。（报告来源：未来智库）

5.1.2罗姆(ROHM)

罗姆是全球著名半导体厂商，以制造和销售半导体、集成电路和电子元件为主，产品包括IC、二极管、LED、SiC功率器件等。罗姆公司以高功率、模拟、标准产品这三个产品系列为中心，加速技术开发。公司拥有三大产品部门：（1）IC：该部门主要负责集成电路的生产和销售，主要产品包括DRAM、驱动器IC、通用IC、传感器IC等；（2）分立半导体器件：该部门进行以Si和SiC为材料的半导体器件制造，包括MOSFET、晶体管、二极管、LED、碳化硅功率元器件等；（3）模块：该部门主要负责无线通信模块和打印头的生产，主要包括Wi-Fi模块、LAPIS、传真打印头；此外，公司还具备无源设备、芯片组的生产能力以及晶圆、MEMS和先进封装的代工服务。年上半年ROHM在SiC衬底市场的占有率为20%，在SiC器件市场的占比为21%，均位居全球第二位，其子公司SiCrystal专注于SiC衬底的生产。

公司受疫情影响严重，市场景气或将推动营收回暖，。财年罗姆的营业收入为32.54亿美元，同比下降-3.51%，这是自财年的历史高点后连续第三个下降的年份，但降幅逐步收窄。受到新冠疫情的影响，全球集成电路、半导体器件、打印头和光学模组市场都出现了下行风险，市场整体表现不佳。同时，上游零件和材料的采购端也受到疫情的消极影响，ROHM所覆盖的其他市场均表现迟缓，这些因素均较大地影响了公司的销售收入。

这些市场从年第三季度开始表现出一定的回暖趋势，受益于全球芯片供应短缺以及电动汽车和电子射频器件等终端市场的高度景气，下游产品需求上涨从而推动了营收下降幅度收窄。当前，随着疫苗接种率提升，全球疫情好转，市场对电子产品的需求逐渐上升以及半导体下游各类利好政策等因素，半导体行业仍将处于高景气状态。然而，尽管中长期内电动汽车、5G终端市场以及半导体行业仍将维持高度景气，但疫情反复和SiC市场的竞争格局加剧仍将对公司造成不利影响。年罗姆报净利润3.35亿美元，同比增长40%，系成本和各项费用较去年均出现下降。全球疫情反复下，预计公司将持续控制成本和费用支出，这可能会降低同期的营收增长，但利润表现或将持续平滑。

亚洲为公司销售重心，IC和半导体器件为收入核心。年ROHM在日本的销售额为11.55亿美元，亚洲其他地区为17.30亿美元，分别占比为36%和53%，亚洲是公司的绝对销售重心。同时，年公司在中国的销售额为9.46亿美元，占比28.05%，是日本之外最大的销售地区。ROHM在中国已形成了以4家销售公司和18家分公司为结构的销售网络，同时中国也是其广泛的技术支持基地。罗姆建立了包括各类产品研发、销售和技术支持在内的综合服务系统，用以积极拓展海外客户并且成功推动了收入和市场份额的增长。财年公司的海外收入并没有大幅收窄的情况，但疫情的消极影响仍使得相关业务的预期存在较大的不确定性。此外，随着中国半导体和电动汽车市场的快速发展以及政策支持，公司在中国的销售额或将保持稳定甚至增长，这将作为短中期内ROHM营收稳定的基石因素。

年ROHM的IC和分立半导体器件业务的营收额分别为15.20和12.87亿美元，两者合计占比超过85%，是公司的核心收入部门。公司拥有完整的Si和SiC产业链，涵盖衬底生长、外延制备以及器件生产的全套工序，这种垂直的综合业务体系不仅能保证产品和材料的稳定供应，也可以满足客户灵活多样的需求。与此同时，ROHM也在持续开发生产线，并外包半导体的封装测试工序来建立新型的供应系统，以此跟进市场变化同时满足各类需求。公司稳健的半导体部门为其IC器件的生产奠定了基础，长期来看半导体部门的持续增长支撑了IC业务的稳定占比。受到半导体市场的利好因素影响，预计公司的两项核心业务将有可能实现稳中有增，但仍需注意来自疫情和市场竞争格局加剧的中期风险。

公司研发支出受疫情有所下降，创新与研发仍是关键要素。年ROHM的研发支出为2.85亿美元，同比下降8.09%，占营收比例为8.76%。受新冠疫情影响，近两个财年公司强力减少了各项费用支出，但公司的研发费用基数在半导体行业中仍位居前列。近年来，随着汽车电子以及物联网等市场的智能化发展，半导体产品在新兴领域中的需求正在急速增长。ROHM打造了一套完整的研发方案，以电力电子、传感器、AI为核心进行研发突破，完成了汽车、工业设施以及机器人行业的产品升级。此外，随着新能源汽车和光伏产业等领域的爆发，下游市场对以SiC为衬底的功率半导体器件的需求也将大幅增加。

目前，ROHM已经实现了mm的碳化硅衬底制作，并提供由SiC晶棒生产到晶圆制造，再到封装测试等完整的垂类服务。公司的SiC材料可以提供SiC-SBD、SiC-MOS，还可用于功率器件的生产。年1月，ROHM的子公司SiCrystal与意法半导体签订了长期协议，公司将持续向意法供应超过1.2亿美元的mm碳化硅晶圆，以满足功率半导体的需求增长。年8月，吉利汽车与罗姆进一步缔结战略合作，前者将利用罗姆先进的碳化硅功率方案开发高效的电控和充电系统。这意味着ROHM进一步扩大了其SiC业务，并致力于电动汽车及相关领域的半导体应用研发。长期来看，创新和研发仍是公司实现业绩增长的关键因素。面对竞争激烈的SiC市场，ROHM必须积极推动mm碳化硅晶圆生产，同时进一步开拓功率器件领域的应用。

5.1.3II-VI

II-VI成立于年，是一家全球领先的开发、制造和销售工程材料和光电元件设备以及材料的垂直整合类公司，为通信、工业、航天、半导体设备、消费电子和智能汽车的多元化应用提供创新产品。II-VI拥有两个业务部门：1）化合物半导体：该部门主要提供SiC衬底、外延和器件以及砷化物外延晶片，同时包括用于高功率二氧化碳激光器的光电组件和材料，应用领域包括航空、国防、医疗、半导体等；2）光子解决方案：该部门主要提供用于光通信网络、消费电子、生命科学等领域的晶体材料和光学器件，还为激光终端用户、系统集成商和政府提供微芯片激光器和光电模块。目前，II-VI在半导体领域的成果主要包括SiC的衬底和外延技术开发，年上半年公司在SiC衬底市场的占有率为13%。

公司销售重心位于美国，光电业务成为公司核心。年II-VI在美国的销售额为14.32亿美元，中国大陆和中国香港分别为2.92和2.99亿美元，三者占比分别为60%、12%和13%，合计约为85%。实际上，Finisar的收购大举增加了公司在美国的销售额，但对中国整体的情况影响轻微。目前，II-VI的用户包括苹果、ASML、Nikon、腾讯、阿里巴巴等领先企业，多数分布在美国和中国地区，Finisar还为公司带来了来自苹果的多数订单。同时，由于公司在5G、消费电子、医疗和半导体领域的布局和中国相应市场的高度火热，公司在中国的营收预计会呈现良好的增长趋势，而在美业务则是公司的基石。此外，公司在年4月宣布扩大在中国的SiC晶圆制造规模，以服务全球最大的电动汽车和清洁能源市场。II-VI已在中国福州建立了一条用于生产SiC衬底的后端加工线，业务包括边缘研磨、CMP、清洁和检查等，该厂预计将在五年内将SiC衬底的制造能力提高5-10倍，包括mm的SiC衬底制造。

研发水平逐步增加，SiC技术处于领先。年公司的研发支出为3.30亿美元，同比下降2.64%，占营收比例为10.63%。同样的，收到收购业务的影响，公司的研发支出在财年大幅上升，这些费用用于投资新资产和业务流程，包括5G、3D传感、磷化铟、激光雷达和其他新兴市场。目前，II-VI所拥有的碳化硅衬底具备高质量和低位错密度，且晶圆尺寸已达mm并处于世界领先地位，该衬底目前已用于电动汽车和5G等电力电子以及射频电子领域。同时，II-VI可在mm的晶圆上生产一流均匀性的SiC外延，包括微米及以上的厚层生长和低浓度掺杂层，是世界最先进的SiC外延技术之一。公司所独创的3DSiC技术可以充分利用SiC材料，以最小损耗实现极高的功率处理，可将电流密度提高30%并缩小相应的芯片尺寸，这对SiC为原料的芯片制程压缩具有重要意义。

5.1.4STMicroelectronics

意法半导体(STMicroelectronics)成立于年，是一家位于瑞士负责设计、开发、制造和销售半导体产品的跨国企业。该公司由法国的“ThomsonSemiconducteurs”和意大利的“SGSMicroelettronica”两家公司合并而成，是欧洲目前收入最高的半导体芯片制造商。ST目前拥有三项主营业务：

1）汽车和分立器件业务(ADG)：该部门负责专用于汽车的IC，以及面向汽车、工业、通信等终端市场的分立器件和功率晶体管的制造和销售；2）模拟、MEMS和传感器业务(AMS)：该部门主要提供用于模拟、智能电源、低功率射频、MEMS传感器和执行器以及光学传感领域的解决方案和产品；3）微控制器和数字IC业务(MDG)：该部门致力于设计、生产和销售微控制器（通用和安全）、存储器（RF和EEPROM）和RF通信等相关产品。目前，公司的主要客户包括苹果、三星、华为、特斯拉等智能手机和电动汽车龙头企业，且年苹果贡献了公司23.9%的收入，是公司的第一大客户。年12月，ST完成了对SiC晶圆制造商Norstel的收购，标志着公司正式覆盖SiC衬底和外延业务。截止年上半年，意法半导体在碳化硅器件市场的占有率约为8%左右。

公司业绩稳中有升，积极布局碳化硅产业链。年ST的营业收入为.19亿美元，同比增长6.94%，是公司近10年来的历史最高水平。年受新冠疫情影响，公司的营收略有下滑，销量下降的部分负面影响被平均售价的上浮所抵消，营收整体保持稳定。受益于芯片短缺和半导体市场的高度景气，公司所布局的汽车、物联网、射频等终端市场同样快速增长，下游汽车和工业客户的需求改善将持续推动公司营业收入的上升，并且抵消疫情反复带来的消极影响。年公司完成了对Norstel的收购，此举将扩大意法内部的SiC生态系统，使其能够更好地控制晶圆的质量和产量，并支持ST内部的长期碳化硅路线图和业务。

同时，收购有利于保证为汽车和工业客户制造MOSFET和二极管所需的晶圆水平，并持续扩大产能以满足未来几年的长期需求。目前，意法半导体24%的晶圆生产业务为外包性质，公司于年8月与WolfSpeed扩大了mm碳化硅晶圆的供应协议，后者将会向ST持续提供mm的SiC衬底和外延，总价值超8亿美元。此举将补充公司的晶圆产能，以更好满足多项业务的产品需求。ST将利用碳化硅市场的增长机会推动业绩发展，并积极由Si向SiC设备市场转型。年公司净利润为11.06亿美元，同比增长7.17%，系其他经营收入增加引起利润上升。尽管ST已涉足多个领域，但并未在主要细分市场建立领导地位，整体要落后于其他竞争者，公司还必须面对来自包括SiC等新兴市场的竞争加剧，长期内仍具有风险波动。

年ST在ADG、AMS和MDG的销售收入分别为32.84、38.92和30.30亿美元，占比均在30%以上，业务布局整体均衡。具体的，ADG部门收入同比下降8.9%，主要原因是平均销售价格的降低，且该负面影响也使得销量略微下降。受到智能手机业绩强劲和影像模拟领域的积极影响，AMS收入同比增长18.0%，是公司营收上升的主要推动力。MDG部门收入同比上升14.9%，系MCU需求增长和RF业务收缩带来的销量大幅上升，该影响覆盖了平均价格下降带来的消极因素。目前，ST仍在提高其资本支出，并将广泛支持模拟、电源和碳化硅业务。同时，苹果是公司在3D传感领域的主要客户，英特尔和特斯拉作为SiC的重要终端将推动公司在该新兴市场的预期业绩升高，用于处理器、存储和射频的芯片组件的需求上升也将持续稳定公司业绩。预计公司将在传统领域中仍将稳定向好，新兴市场的份额扩展和激烈竞争将成为不确定因素。

5.2、大陆主要厂商

5.2.1山东天岳—绝缘型衬底为主

山东天岳先进科技股份有限公司成立于年，主营业务是宽禁带半导体（第三代半导体）碳化硅衬底材料的研发、生产和销售，产品可应用于微波电子、电力电子等领域。目前，公司主要产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底。经过十余年的技术发展，公司已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等环节的核心技术，自主研发了不同尺寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技术。公司作为我国碳化硅衬底领域的领军企业，在国家亟需的时候，担当起国家核心战略物资的保障供应重任，批量供应了半绝缘型碳化硅衬底材料，成功实现该产品的自主可控。根据国际知名行业咨询机构Yole的统计，年及年公司已跻身半绝缘型碳化硅衬底市场的世界前三。公司的产品以半绝缘型衬底和导电型衬底为主，其应用范围涵盖光电子，电子电气，微波通讯等领域。

公司收入几乎全部来自境内，产品以半绝缘型衬底为主。年，公司境内收入约为3.40亿元，同比增长89.4%，近三年占比稳居90%以上并且持续增加。然而，目前公司的半绝缘型衬底已经具备世界一流技术水平，市场份额占比30%左右，预计未来长期内公司将扩展海外市场，从而进一步实现业务扩张。同时，公司的产品结构较为简单，主营业务均为碳化硅衬底销售，其中半绝缘型衬底占据绝对主导。年，半绝缘型衬底营收为3.47亿元，同比增长89.8%，占比为99.3%，近年来导电性衬底收入和占比不断下降。这一趋势系半绝缘型衬底受国外禁运，为满足国家战略需要，公司优先将产能用于半绝缘型衬底。同时，由于导电型衬底可搭载碳化硅外延并用于新能源汽车、光伏能源、交通轨道等领域，下游市场的火热使得该衬底市场具有较大潜力，预计未来公司将持续布局导电型衬底市场。

5.2.2天科合达—导电型衬底为主

北京天科合达半导体股份有限公司设立于6年9月12日。公司是国内领先的第三代半导体材料——碳化硅晶片生产商。公司主要从事碳化硅领域相关产品研发、生产和销售，主要产品包括碳化硅晶片、其他碳化硅产品和碳化硅单晶生长炉，其中碳化硅晶片是公司核心产品。公司建立了国内第一条碳化硅晶片中试生产线，是国内最早实现碳化硅晶片产业化的企业，在国内率先成功研制出6英寸碳化硅晶片，相继实现2英寸至6英寸碳化硅晶片产品的规模化供应。公司掌握了覆盖碳化硅晶片生产的“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”全流程关键技术和工艺，在设备环节可以提供碳化硅单晶生长炉，在晶片环节可以提供2-6英寸导电型和半绝缘型碳化硅晶片，在其他碳化硅产品环节可以提供碳化硅籽晶、晶体等。

天科合达已成为是国内领先的第三代半导体材料——碳化硅晶片生产商。财务数据显示，年公司业绩改善，实现营收1.56亿元，同比增长99%左右。实际上，公司自年首季度开始，各季度的营业收入都在不断增加，主要系公司产能不断扩大，产品交付能力持续提升。随着半导体产业宏观环境的持续景气，以及新能源汽车、光伏等下游市场对碳化硅市场的进一步推动，预计公司的营收业绩仍将持续增长。

目前，天科合达在导电型碳化硅衬底领域具有相对优越的市场优势，年全球占有率约为1.7%，预计随着产能进一步释放以及规模效应逐渐显著，公司将进一步提高其市场份额。此外，年天科合达的净利润为0.30亿元，同比增长%，并与年成功扭亏为盈。年以前，由于公司持续研发投入，以及受碳化硅半导体材料工业化应用进程较慢影响，公司呈现持续亏损状态。年以来，随着公司产品工艺的成熟和下游需求的增加，公司收入规模快速增长，并实现持续盈利。同时，由于天科合达与产业链上下游合作紧密，具备优秀的产品质量口碑，公司的销售费用率等单位支出持续下降，营收的较大增长也使得年的净利润实现巨额增幅。预计随着天科合达研发成果进一步转化，以及产能扩张和费用管控，公司业绩将持续好转。

公司对研发保持较高投入，技术成果转化良好。-年研发投入分别为0.15、01.3和0.29亿元，年研发投入大幅增长.71%，占比约为19%。目前，公司的主要研发费用基本用于PVT碳化硅单晶生长技术、碳化硅晶体切割技术和精密研磨抛光及清洗技术，相关的技术成熟度均已实现成熟应用，公司的研发支出效果明显。天科合达研发支出稳中有升，净利润实现新高表示公司研发费用转化效果较好，预计随着单晶生长设备和衬底技术的进一步提高，公司有望增强研发成果转化效力，从而提振公司业绩。年公司销售毛利率为6.01%，销售净利率19.36%，两者自年起便持续增加，且曲线大致相似。曲线差距收窄意味着公司利润增长和毛利增长不断趋同，说明公司整体费用利用情况和管控效果较好。预计未来随着业务不断盈利，费用管控不断加强，公司的毛利和净利水平将稳中有升，并呈现较小分化。

5.2.3露笑科技—SIC衬底

露笑科技设立于3年，是一家有多元化业务的综合公司，产业涵盖铜芯、铝芯电磁线、LED蓝宝石衬底片、碳化硅衬底片、新能源汽车电机电池电控、光伏发电、现代农业、投资管理、国际贸易等十多个领域。露笑科技以漆包线为起点赚得第一桶金并成功在深交所上市。但漆包线行业因准入门槛低，同质化程度越来越高，随之带来的利润率也越来越低，成长空间受限，故年开始产业转型。

公司先后收购上海正昀，江苏鼎阳绿能电力有限公司进军新能源汽车和光伏产业，并与伯恩光学合作开展蓝宝石业务并积极探索国外市场。目前第三代半导体处在早期部署阶段，露笑科技凭借着在布局蓝宝石业务期间积累的大量的生产蓝宝石长晶炉的经验进入了碳化硅领域，总投资近百亿。公司拥有浙江省级研究院、博士后科研工作站、省级技术中心等平台，拥有一支优秀的研发团队，多次承担国家、省部级科技计划项目，多次获得各级科技奖，参与制修订国家/行业标准48项，累计拥有国内领先的科技成果近20项。

公司业绩波动明显，净利润情况持续好转。年露笑科技营业收入为28.48亿元，同比增长16.15%，业绩实现四年内的首次增幅。疫情期间，光伏发电以及其漆包线行业受到影响较小，营收下降程度有所减缓。随着碳化硅产业布局力度的加大，预计未来营收将会增加。然而，由于漆包线行业低准入门槛、高污染性以及激烈的市场竞争，公司自年起业绩持续下滑，同时积极寻求转型。目前，公司进入半导体行业，旗下业务包括三项：

1）碳化硅业务：公司主要进行碳化硅衬底和外延的生产销售；2）漆包线业务：公司生产用于新能源汽车、电子信息等行业的漆包线产品；3）光伏发电业务：公司为光伏电站进行投资、建设和运营，并且集中建设集中式和分布是光伏电站。然而，由于公司自身现金流不足，造血能力差，在年定增6.15亿，但仍难以抵消负债和研发需要，对半导体行业的百亿投资仍然颇具难度。年，公司净利润为1.28亿元，同比增长16.15%，成功扭亏为盈持续增长。业绩上升主要系内疫情后公司制造业端上下游复工复产较快，同时国外受疫情影响严重，制造业向国内转移，行业景气度较高。同时，我们预计公司的半导体业务或将因资金缺乏面临经营风险，长期内的业绩波动仍将持续，需求研发不及预期都将对公司的经营带来影响。

公司研发费用较低，净利率近年来稳中有升。年露笑科技研发支出额为0.44亿元，同比增长51.21%，占营收比例约为1.53%。近年来，公司的研发支出整体比例较低，几乎在1%附近波动，年该项费用逐步增加，但仍难以满足半导体行业的研发需求，目前显著低于行业平均水平。较低的研发投入可能使得公司无法长期发展半导体产业，更无法实现在相关市场建立领先地位，长期经营风险较为明显。公司从年11月份破土开工建设，年3月份一期厂房结顶，5月份内部公辅设备开始安装调试，6月份部分设备开始进场安装。

随着衬底加工设备、清洗设备和测试设备的逐步到位及加工工艺优化，预计在9月份基本可实现6英寸导电型碳化硅衬底片的小批量生产。露笑科技-年的毛利率分别为13.95%、22.42%和19.21%，比率波动较为明显；同时近三年内公司净利率分别为-32.23%、1.41%和4.49%，整体表现有所回暖，但仍需注意长期风险。公司毛利率的逐渐上升，主要是受到行业转型的影响。露笑科技进军毛利率较高的光伏行业，同时压缩了毛利率较低的漆包线业务，使得整体水平得到回升，净亏损收窄也与公司转型密切相关。预计随着公司持续加码半导体和光伏业务，双率水平将持续向好。

5.2.4晶盛机电—SIC衬底

晶盛机电是国内晶体硅生长设备龙头，主要从事晶体生长设备研发、制造、销售。公司的产品主要有碳化硅长晶设备及外延设备，业务下游涉及光伏、半导体、蓝宝石等行业方向。在光伏领域、半导体领域，LED照明领域还分为晶体生长设备，智能化加工设备等。在蓝宝石领域，公司可提供满足LED照明衬底材料和窗口材料所需的蓝宝石晶锭和晶片。6年上虞晶盛机电工程有限公司成立，年整体改制为上虞晶盛股份有限公司，同年更名为浙江晶盛机电股份有限公司（简称：晶盛机电），年公司在深交所创业板上市，年成立晶瑞电子运营蓝宝石切磨抛业务，拓展了蓝宝石业务，年拓展半导体业务，并在年SIC研发取得突破性进展。晶盛机电公司在高端精密加工领域的技术实力处于行业前列，建立了半导体材料关键加工设备的国产化领先优势。目前，公司的主要客户有中环股份、有研半导体、合晶科技、上机数控等知名上市公司以及大型企业，密切合作的下游客户为公司的发展提供了坚实基础。

晶盛机电是国内晶体硅生长设备龙头，近年来业绩持续向好。年公司业绩大幅增长，实现营收38.11亿元，同比增长22.54%。近五年来，公司营收持续保持高增长，尽管增速下滑但同比仍保持在20%以及上。一方面，国家“碳中和”政策推动下光伏等新能源领域持续利好，硅片产能需求持续扩大，公司设备出货量持续上升；另一方面，第三代半导体受到下游新能源汽车、充电基础设施等领域的火热推动，整体需求实现高企，碳化硅产业得以高速发展，公司相关设备需求上涨。

同时，集成电路产业也受到政策积极扶持，MiniLED和消费电子窗口也推动了蓝宝石材料新增长，这同样推动了公司业绩的持续向好。此外，公司与上下游产业链的客户形成了紧密联系，这为公司巩固市场地位，推动产品持续迭代奠定了坚实基础。年晶盛机电净利润为8.52亿元，同比增长36.48%，重新实现较高增长。然而，由于光伏硅片的技术变革能力较弱，潜在增长逻辑不足，利润将面临下行风险；公司半导体和蓝宝石等相关技术处于领先地位，发展前景较为良好，但公司对单一客户的依赖程度较大，可能存在长期风险。预计中长期内，晶盛机电将依靠半导体和蓝宝石领域的先进优势，弥补光伏LED领域的增长减缓，与此同时公司仍将面对一定的市场风险。

晶盛机电研发支出持续增长，公司双率稳中有升。年公司研发支出数额为2.27亿元，占营收比例约为5.96%，同比增长22.04%，近五年内费用持续增加。公司目前已实现8英寸半导体长晶设备的批量销售，12英寸长晶、研磨和抛光设备均通过客户验证并进入销售环节。同时，晶盛机电在碳化硅领域积极研发，碳化硅外延设备已通过客户验证，同时在晶体生长、切片、抛光等产业链环节建立测试线，以实现装备和工艺技术的领先。而在蓝宝石材料领域，晶盛机电已经成功掌握国际领先的超大尺寸kg级蓝宝石晶体生长技术，公司的蓝宝石材料业务具备较强的成本竞争力与规模优势。

公司将持续加大研发费用，定增投产碳化硅衬底晶片生产基地项目，计划在宁夏银川建设年产40万片6英寸以上导电+绝缘型碳化硅衬底产能，总投资33.6亿元。项目达产后预计年实现新增营收23.56亿元、利润5.88亿元。目前公司已经获得23万片意向碳化硅衬底订单，并预估-年国内导电型碳化硅衬底总需求合计超过万片，碳化硅衬底晶片生产基地项目的实施有利于打破WolfSpeed、II-VI等传统国外碳化硅生产龙头企业的行业垄断地位，逐步改变国内碳化硅衬底主要依靠进口的现状。随着碳化硅在下游市场的不断拓展，公司将加快推进碳化硅业务的前瞻性布局，从而为公司的持续发展贡献新的动力。

5.2.5三安光电—IDMSIC全产业链

三安光电成立于0年，主要从事化合物半导体所涉及的部分核心原材料、外延片生长和器件制造，材料包括氮化镓、碳化硅、磷化铟、蓝宝石等第三代半导体。公司具有国内产销规模首位的化合物半导体生产规模，属于技术、资本密集型的产业，是化合物半导体集成电路产业链布局最为完善、领先IDM企业。公司目前的主要业务包括四个板块：

1）光电：以GaAs、GaN、蓝宝石为基础，进行LED和光伏电池器件生产，产品用于照明、光伏、医疗等领域；2）微波射频：主要以GaN、GaAS和InP为主，生产制造功率放大器、滤波器、射频开关器等，可用于移动通信基站、蓝牙模组等；3）电力电子：通过SiC、GaN等第三代半导体，进行各类二极管和晶体管的研发，主要用于新能源汽车、光伏、智能电网、快充电源等下游领域；4）光通讯：借助GaAS、InP等原材料，制造二极管、激光器件，通常适用于通信基站、云计算、3D感应等市场。公司致力于将化合物半导体集成电路业务发展至全球行业领先水平，努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。目前，公司已与主要供应商和采购客户建立起了长年稳定的合作关系，形成较为稳定的原材料供应渠道。

公司业绩稳中有升，净利润近年来持续下降。年，三安光电营业收入为84.54亿元，同比增长10.37%，营收数额达到历史新高。年之后，受益于LED产业整体转向中国大陆，国内企业快速扩产抢占市场份额，国内LED需求的提升也使得公司盈利快速增长。年后由于 、国内需求增速放缓、相关企业库存水平处于高位等不利因素，LED行业逐步进入周期下行阶段，产品价格下跌，三安光电的盈利水平也伴随行业周期受到较大的影响。此外，公司也在大力布局半导体领域，向第三代半导体衬底、外延、芯片等领域进行转型，是国内化合物半导体领域中布局最为全面的企业。公司于年成立厦门三安集成，作为化合物半导体业务的主要生产基地，业务涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域，致力于打造集成完整的化合物半导体制造平台。年起，公司化合物半导体业务以三安集成为主要产业基地，并开始逐步放量。

受益于MiniLED、射频和滤波器需求的显著提升，公司的营业收入于年重新实现增长。由于目前以碳化硅和氮化镓为核心材料的产品被广泛用于通信、新能源汽车、消费类电子等应用领域，下游市场成为全球企业的重要布局焦点。随着技术研发不断推进，成本和费用管控进一步优化，预计公司业绩发展前景广阔。年三安光电净利润为10.16亿元，同比下降36.14%。近四年来公司净利润持续下降，系转型半导体带来的研发支出费用高企，同时LED产品成本上升所致。三安光电的基本面仍向好，预计随着第三代半导体技术研发逐步转化为销售成果后，公司将实现费用管控，并进一步增加营收，从而实现净利润的增长。

公司收入来源核心为中国大陆，产品中化合物半导体占主导地位。年三安光电在中国大陆的销售额为73亿元，同比增长10.61%，占总体比例为86.90%。近六年内，公司在中国大陆的销售占比均在80%以上，港澳台及海外市场表现稳定，销售额均在10亿元左右。显然，由于国内政策支持下半导体行业高度景气，且海外领先企业的技术壁垒较难突破，公司难以扩大其在其他地区的销售额。同时，公司的产品主要包括化合物半导体、材料销售和其他，年三者占比分别为70.63%、27.35%和2.02%。实际上，年以前公司的核心产品为芯片LED，但从年起业务规模逐渐萎缩，系LED产品成本上升，需求不及预期导致LED市场进入下行周期。公司选择成立子公司，向第三代半导体产业进行转型，并将LED并入化合物半导体业务，后者成为公司的主要研发产品。然而，目前全球芯片供应短缺，LED器件需求旺盛，LED市场或将迎来周期性拐点。预计未来几年公司仍将持续经营LED业务，并且其业务占比将持续提高。

年成立厦门三安集成具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力，拥有大规模、先进制程能力的MOCVD外延生长制造线；年总投资亿元的泉州南安项目也在顺利推进中，现已有部分设备调试完成，产能正在逐步释放；年投资亿元建设湖南三安SiC产线，进一步加强上游布局，且一期项目已于年6月建设完成，产能可达片/月（6寸片）；2年内达产后预计将达到0片/月。产业链方面，公司年8月收购北电新材，将SiC衬底工艺内化，掌握SiC产业链核心，夯实SiC衬底基础，有望提高产品良率，发挥产业链协同作用。目前，三安光电的各类产品客户验证均稳步进行，随着化合物半导体下游需求显著提升，以及研发成果的进一步转化，各产业基地产能布局优势已开始显现。

5.3、晶圆代工厂商

5.3.1X-Fab

X-FABSiliconFoundriesSE是世界领先的模拟/混合信号半导体技术专业代工厂集团之一。为汽车，工业，消费，医疗，消费和移动通信以及其他应用制造硅片、模数集成电路、传感器和微机电系统。业务遍及全球，提供全面的技术和设计IP。凭借在模拟/混合信号IC生产、微机电系统（MEMS）和碳化硅（SiC）方面的专业知识，为客户提供强大的设计支持技术。核心市场汽车、医疗和工业的特点是高增长和长生命周期。

X-FAB作为一家纯粹的代工厂，为避免与客户竞争而没有自己的IC产品。专注于复杂技术、设计支持和制造解决方案，提供制造和强大的设计支持服务，设计模拟/混合信号集成电路（IC）和其他半导体器件，用于客户的产品。模块化的制造方法在半导体技术、设计和工艺中提供了多种增强选项，包括互补金属氧化物半导体（CMOS）、绝缘体上硅（SOI）、碳化硅（SiC）和微机电系统（MEMS）。提供的工艺技术在mm晶圆上的特征尺寸为1.0μm、0.8μm和0.6μm，在mm晶圆上的特征尺寸为0.6μm、nm、nm、nm和nm。X-FAB的目标是到年实现9-10%的市场份额，通过不断增长的产量保持稳定的市场份额，并为80-90%的无晶圆厂碳化硅厂商提供服务。

5.3.2积塔

上海积塔半导体有限公司是一家半导体芯片研发商，成立于年，公司两大股东为华大半导体有限公司和上海集成电路产业投资基金股份有限公司，分别持股55%和45%，上海先进半导体制造有限公司为上海积塔全资子公司。上海先进于年由中荷合资成立为上海飞利浦半导体公司，于6年于香港联交所主板上市并在年退市，年被上海积塔半导体有限公司吸收合并，此后上海积塔的主营业务便由上海先进构成。上海先进是一家大规模集成电路芯片制造公司，有5英寸、6英寸、8英寸晶圆生产线，专注于模拟电路、功率器件的制造，8英寸等值晶圆年产能66.4万片，被上海市科委认定为“高新技术企业”。

同时，公司通过了ISO、VDA6.3(GradeA)、IATF、、ISO/IEC21等质量、环境及信息安全管理体系认证，是国内最早从事汽车电子芯片、IGBT芯片制造的企业。此外，年8月，积塔半导体特色工艺生产线在上海临港开工，总投资亿元。年10月，积塔半导体与上海先进半导体制造股份有限公司(以下简称“先进半导体”)签订合并协议，合并后积塔半导体将分为临港和虹漕两个厂区。虹漕厂区拥有5英寸、6英寸、8英寸生产线；临港厂区拥有8英寸、12英寸、6英寸SiC生产线，产品主要应用于工控、汽车、电力、能源等领域。

公司是一家专注于模拟电路工艺和功率器件工艺的领先晶圆代工厂，拥有两个晶圆厂及双极型工艺（Bipolar）、功率集成电路（PowerIC）、分立元件（Discrete）、微系统（MEMS）组成的对外开放工艺平台。晶圆厂方面，上海先进1/2号晶圆厂制造厂主要生产6英寸晶圆，以模拟电路生产为主，有十年以上的汽车电子芯片制造经验，也是中国IGBT工艺芯片最大的生产厂；上海先进3号晶圆制造厂以生产8英寸晶圆片为主。

对外开放工艺平台方面，硅片双极型工艺主要包括LV和HV两种，多用于智能手机、发光照明、智能电表等；功率集成电路包括BCD功率集成、HVCMOS和BiCMOS，主要用于智能电视、家电以及电焊等；分立器件主要包括碳化硅分立器件、TVS二极管、IGBT/FRD以及MOSFET，多应用于新能源风电、新能源汽车以及高铁等；微系统包括AFS、麦克风和压力传感器，多用于平板电脑及汽车机电系统等方面。上海先进的客户来自于全球领先的集成器件制造商及无生产线的半导体公司，公司制造的产品广泛应用于智能身份证、汽车电子、电源管理、通讯及电子消费品等领域。公司通过建立建设战略产业联盟合作，其产品已融入高铁、新能源汽车、智能电网、节能等国家战略产业。

六、观点总结及内容概要

1、碳化硅性能优势突出，市场规模快速成长

碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件，随着下游需求爆发，-年SiC器件的市场规模将从43亿美元提升到89亿美元，年复合增长率为20%。

2、需求：下游产业链应用爆发，SiC市场需求红利释放

我们把SiC器件发展分为三个发展阶段，-年初期，特斯拉等新能源汽车开始试水搭载SiC功率器件；-年为拐点期，SiC在新能源汽车领域的应用已经达到了批量生产的临界区域，并且充电基础设施、5G基站、工业和能源等应用逐步采用SIC器件；-年为爆发期，SIC加速渗透，在新能源汽车、充电基础设施、5G基站、工业和能源等得到广泛应用。

新能源汽车是SIC器件应用增长最快的市场，预计-年的市场规模从16亿美元到46亿美元，复合年增长率为30%，其中用于电机驱动逆变器的碳化硅功率器件是车用SiC产品中最主要且潜在增长空间最巨大的部分，到年用于电机驱动逆变器仍是最大市场，占比超过80%。其次，射频器件市场规模将从21美元提升至29亿美元，复合年增长率为8%；工业和能源用的SiC器件市场规模从6亿元增长到14亿元，复合年增长率为24%。

3、供给：短期产业链受限衬底产能，长期产能扩张带来价格下降

碳化硅市场产业链主要分为晶圆衬底制造、外延片生产、碳化硅器件研发和装备封装测试四个部分，分别占市场总成本的50%、25%、20%、5%，由于具备晶体生长过程繁琐，晶圆切割困难等特点，碳化硅衬底的制造成本一直处于高位。目前高质量衬底的应用主要集中于WolfSpeed、II-VI、ROHM三大供应商，CR3市场占有率达到80%以上，国内厂商为代表的衬底厂商的产品良率、品质和生产效率还有一定差距，短期看中高功率器件产业链的上游主要还受衬底CR3控制，另外随着CR3逐步提高材料自用比例提升，产能的提升的同时市场供给有限，整体供给偏紧状态。

根据WolfSpeed最新的投资者大会所公布的数据显示，年SiC衬底市场规模有望达到17亿美元，-年复合增速达到25%。预计年和年的产能分别达到K平方英尺到平方英尺，折算6寸对应的85万片和万片，假设WolfSpeed继续维持全球50%的市场份额（剔除自供衬底，总的衬底片占比超过60%），那么全球年和年市场销量折合6英寸分别约为万片至万片。

4、碳化硅国产突破正加速，迎来中长期投资机会

碳化硅市场海外以IDM为主要运作模式，国内衬底厂商为天岳先进（绝缘型衬底为主）、天科合达（导电型衬底为主）、中电科（烁科）、露笑科技、晶盛机电；外延片方面：瀚天天成、东莞天域、中电科等均已完成了3-6英寸碳化硅外延的研发和生产；器件方面：斯达半导体、士兰微推出SiCMOSFET功率器件和模块；晶圆代工方面，X-Fab为最大代工厂，并为80-90%的无晶圆厂碳化硅厂商提供服务；汉磊和积塔大幅增加资本开支用以扩展SiC产能；IDM方面：三安光电具备全产业整合生产能力（衬底/外延/器件/封测）。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）

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